第179章 单晶到底怎么造（3k） (2 / 5)

        高振东笑着道：“嗯，俞工，现在情况怎么样？”

        “高主任，从原理上分析，区熔法比直拉法的材料纯度要高，我们为什么不直接用区熔法搞。”

        看见高振东过来，俞允成也走了过来，正好他有些积累的问题想问一下：“高主任，过来了？”

        说到这里，他顺势提出了自己心中的疑问。

        高振东笑着道：“不止我们现在正在做的直拉法和区熔法，做硅单晶的办法还有很多，比如基座法、片状单晶生长、气相生长、铸锭法、液相外延等等。”

        高振东点点头：“没错，不过这些方法都有这样那样的问题，总的来说，电子技术上用的半导体材料，在我看来，相当一段时间内最合适的还就是正在搞的直拉法和你说的区熔法。”

        俞允成情绪也很不错：“还比较顺利，正在一项一项的装，一项一项的调。”

        这个话一开始他是不太好问的，这涉及到原理路线问题了，看见高振东的单晶炉设计那么完整，一开始问这个话有点全盘推翻的感觉。

        俞允成对于区熔法有所了解，但是对于区熔法的原理和具体实现方法是不了解的，大概就处于闻名但是但未见面的程度。

        俞允成听见了有些惊讶：“啊，这样啊，好像是比较难控制。”

        简单来说，直拉法是把硅在锅里烧化，然后往上拉晶。

        不愧是搞这个的，一听就明白，高振东笑道：“对，这个方法熔化的硅液主要靠表面张力维持不掉落，所以直径想做大，比直拉法要困难，同时整个拉晶过程的可控性差，容易导致晶体结构缺陷。”

        高振东干脆把区熔法的原理向俞允成介绍了一遍。

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