第367章 MOS (3 / 5)

        这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！

        抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。

        PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。

        而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。

        工序更少、工艺更简单、良品率更高

        对于量产来说，这些特么可都是钱呐！

        而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。

        两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的MOS甚至要比双极型要低。

        MOS技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。

        在同代次内，更改MOS电路的设计，对于MOS的工艺没有任何影响，MOS电路的性能的改变，是通过改变MOS场效应管的几何设计来实现的。

        双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是MOS电路就不，它的工艺是不变的。

        而且这种改变几何设计就能改变性能的特点，带来了MOS集成电路的另外一个好处——更便于实现计算机辅助设计，实现半自动或者自动化设计。

        除了上面这些好处之外，双极型半导体本身，有一个最大的缺陷注定了它在大规模、超大规模集成电路上走不远。

        ——它做不小！但是MOS可以！

        这个情况的原因很多。

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